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AO3421E  与  BSS308PE H6327  区别

型号 AO3421E BSS308PE H6327
唯样编号 A-AO3421E A-BSS308PE H6327
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 27.5 -
Td(off)(ns) 13.5 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 95mΩ@10V 80mΩ@2A,10V
ESD Diode Yes -
漏源极电压Vds -30V 30V
Rds On(Max)@4.5V 160mΩ -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 500mW
Qrr(nC) 16 -
VGS(th) -2.5 -
Qgd(nC) 1.2 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
Td(on)(ns) 8 -
封装/外壳 SOT23-3 SOT-23
连续漏极电流Id -3A 2A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 215 -
Schottky Diode No -
Trr(ns) 9 -
Coss(pF) 46.5 -
Qg*(nC) 2.2 -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3421E AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

车规

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
3,000: ¥0.455
7,247 对比
BSS308PE H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS308PEH6327XTSA1_SOT-23 P-Channel 80mΩ@2A,10V 500mW -55°C~150°C ±20V 30V 2A 车规

暂无价格 3,000 对比
NTR4171PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta)

¥1.0516 

阶梯数 价格
50: ¥1.0516
200: ¥0.7249
1,500: ¥0.6589
1,885 对比
DMP3125L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 650mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 2.5A(Ta)

暂无价格 28 对比
ZXMP3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 2.8A(Ta)

暂无价格 17 对比

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